导读 在电子爱好者和音响设备开发者中，场效应管（MOSFET）因其低噪声和高输入阻抗而备受青睐。本文介绍了一种基于MOSFET的功放电路设计，旨在实...
在电子爱好者和音响设备开发者中，场效应管（MOSFET）因其低噪声和高输入阻抗而备受青睐。本文介绍了一种基于MOSFET的功放电路设计，旨在实现高保真的音频输出。该电路以N沟道增强型MOSFET为核心元件，结合简单的偏置电路和负反馈机制，有效提升了整体性能。
首先，电路的核心部分由两个串联的MOSFET组成推挽结构，负责驱动负载。这种结构能够显著减少交越失真，确保音频信号的纯净传递。其次，通过加入适当的偏置电阻和电容滤波器，可以稳定工作点并抑制高频噪声干扰。此外，负反馈回路被巧妙地引入到设计中，不仅增强了系统的线性度，还进一步降低了总谐波失真率。
实验结果显示，该功放电路在1kHz时的增益达到了约40dB，且频响范围覆盖了20Hz至20kHz，完全满足一般家庭影院或专业音响系统的需求。此设计简单易行，适合初学者学习与实践，同时也为高级用户提供了优化空间。